vantagem de IGBTs de próxima geração

IGBTs – Insulated Gate Bipolar Transistor. IGBTs sempre foram conhecidos para alta eficiência e rápida de dispositivos semicondutores de comutação que transfere a energia elétrica para vários aparelhos, como geladeiras, condicionadores de ar, etc O artigo irá lançar luz sobre a vantagem de IGBT próxima geração (IGBT4) que é “Economia de Energia “e isto é feito pelas características e comportamento operacional desses IGBTs de nova geração.

Hoje em dia, a economia de energia é o principal objectivo de cada país. A demanda por energia é crescente e, além disso, fatores como os custos crescentes da energia, a falta de disponibilidade de combustíveis fósseis e reduzir a emissão de CO2 justificar o motivo fro economia de energia.

A energia pode ser salvo pela utilização de máquinas eficientes como inversores que mais necessitam de componentes de energia otimizado e dispositivos semicondutores e IGBTs têm se tornado um dos componentes importantes para alcançar o objetivo. O IGBT próxima geração está disponível em três versões de chips que são de baixa, média e alta módulos IGBT de potência.

1. Versão de baixo é IGBT4 – T-4 que dá corrente nominal 10-300 A com o comportamento de comutação rápida.

2. Módulo de potência médio versão é IGBT4 – E-4 tendo boa no estado e características de comutação de corrente e dá no intervalo de 150 a 1000 A.

3. A outra é IGBT4 – P-4 para módulos de alta potência com correntes superiores a 900 um com características de comutação moles.

A geração IGBT4 novo é melhor do que IGBT3 anteriores em termos de desempenho elétrico. O primeiro é um chip 1200V optimizado opera a 1500C como comparar com o último, que é uma operação de chip 600V optimizado para 1250C. Entre estes dois IGBTs, a que está a funcionar a temperaturas mais elevadas conduz à potência de saída elevada.

Características de comutação no comportamento IGBT é uma preocupação real. Os E-versões dos IGBTs são mais suaves como comparar a T-versões ou seja, eles têm uma característica comutação suave. Este tipo de características é comparado na corrente nominal como uma função da tensão CC. Outro factor que é importante para o sucesso dos chips de nova geração IGBTs são as baixas perdas estáticas e dinâmicas com uma maior produção. Para além disso, nos transistores de isolamento a indução da indutância parasitas em relação à resistência portão com turn-on e off perdas tem uma maior influência sobre as características de tensão.

O procedimento acima descrito de IGBTs desempenha um papel importante na realização do potencial de optimização para todos os módulos IGBT, porque como a indutância parasitas aumenta, é necessário reduzir a velocidade de comutação, que é adicionalmente obtida através do aumento da resistência de barreira externa. A resistência portão aumento leva a maiores perdas de ligar novamente. Indutância, portanto, maior perdida reduz a suavidade de IGBTs e diodos que resulta em potencial desejado ou potência de saída. Por isso, o comportamento operacional da nova geração IGBTs devido a todos estes resultados característicos do método eficiente de poupança de energia.

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